ಸೆಮಿಕ್ಸ್ಲ್ಯಾಬ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿ ಕಂ., ಲಿಮಿಟೆಡ್.

ನಮ್ಮ ಸಮಗ್ರ ತಾಂತ್ರಿಕ ಗ್ರಂಥಾಲಯವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಿ. ನಿಖರವಾದ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ವಿಶೇಷಣಗಳಿಂದ ಹಿಡಿದು ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಪ್ರಮಾಣೀಕರಣಗಳವರೆಗೆ, ನಾವು ಮಿಷನ್-ನಿರ್ಣಾಯಕ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪೂರೈಕೆ ಸರಪಳಿಗಳಿಗೆ ಅಗತ್ಯವಾದ ಪಾರದರ್ಶಕತೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತೇವೆ.

ಒಳಗೆ ಏನಿದೆ: ನಮ್ಮ ಪ್ರಮುಖ ಆವಿಷ್ಕಾರ ಪೇಟೆಂಟ್‌ಗಳ ಸಂಗ್ರಹ (8+), ಇದು CVD ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಕೋಟಿಂಗ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಸಾಲಿಡ್ SiC ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ನಮ್ಮ ಮೂಲ ಪಾಂಡಿತ್ಯವನ್ನು ಸಾಬೀತುಪಡಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ದಾಖಲೆಗಳು ನಮ್ಮ ತಾಂತ್ರಿಕ ಸ್ವಾತಂತ್ರ್ಯ ಮತ್ತು IP ಅನುಸರಣೆಯನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸುತ್ತವೆ.

ತಾಂತ್ರಿಕ ವರ್ಗ	ಪೇಟೆಂಟ್ ಶೀರ್ಷಿಕೆ (ಆವಿಷ್ಕಾರ)	ಪೇಟೆಂಟ್ ಸಂಖ್ಯೆ.	ಪ್ರಮುಖ ಸಂಶೋಧಕ	ಕಾರ್ಯತಂತ್ರದ ಮೌಲ್ಯ
TaC ಲೇಪನ	TaC/Ta2C ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಲೇಪನ ಹೊಂದಿರುವ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಘಟಕ ಮತ್ತು ಅದರ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನ	ZL202411703774.0	ಪ್ರೊ. ಶಾವೊಲಾಂಗ್ ಹೆ	ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ರಿಯಾಕ್ಟರ್‌ಗಳಿಗೆ ಉಷ್ಣ ಆಘಾತ ನಿರೋಧಕತೆ ಮತ್ತು ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.
TaC ಸಲಕರಣೆ	ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಸಿಂಟರ್ಡ್ TaC ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ಉಪಕರಣ.	ZL202110992463.0	ಎಲ್‌ಡಬ್ಲ್ಯೂ ಝೌ	ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನಕ್ಕಾಗಿ ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತ ವ್ಯವಸ್ಥೆ.
SiC ಸಂಯೋಜಿತ	ಏಕ/ಪಾಲಿ-ಸ್ಫಟಿಕೀಯ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮೇಲೆ SiC ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು CVD ವಿಧಾನ.	ZL202410071607.2	ಪ್ರೊ. ಶಾವೊಲಾಂಗ್ ಹೆ	ಉನ್ನತ-ಮಟ್ಟದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಸಸೆಪ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ವೇಫರ್ ಕ್ಯಾರಿಯರ್‌ಗಳಿಗೆ ನಿರ್ಣಾಯಕ.
ಹೊಸ ವಸ್ತುಗಳು	ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ / ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಸಂಯುಕ್ತ ವಸ್ತು ಮತ್ತು ಅದರ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನ	ZL202410990154.3	ಪ್ರೊ. ಶಾವೊಲಾಂಗ್ ಹೆ	ಮುಂದಿನ ಪೀಳಿಗೆಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಅರೆವಾಹಕ ಮೂಲ ವಸ್ತುಗಳು.
ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ CVD	ಲೋಹದ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ಮೇಲೆ SiC ಲೇಪನವನ್ನು ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನ.	ZL202311149201.3	ಪ್ರೊ. ಶಾವೊಲಾಂಗ್ ಹೆ	ಶಾಖ-ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಲೋಹದ ಘಟಕಗಳಿಗೆ SiC ರಕ್ಷಣೆಯನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸುತ್ತದೆ.
ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ CVD	ಲೋಹದ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ಮೇಲೆ ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ SiC ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ಉಪಕರಣ.	ZL202110992466.4	ಎಲ್ಎನ್ ಡಿಂಗ್	ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ನಿಖರವಾದ ಲೇಪನಕ್ಕಾಗಿ ವಿಶೇಷ ಯಂತ್ರಾಂಶ.
ಸಿ/ಸಿ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು	ಕಾರ್ಬನ್-ಕಾರ್ಬನ್ (C/C) ಸಂಯುಕ್ತಗಳಿಗೆ SiC ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನ	ZL202410002048.X ಪರಿಚಯ	ಪ್ರೊ. ಶಾವೊಲಾಂಗ್ ಹೆ	ದೀರ್ಘಕಾಲೀನ ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಘಟಕಗಳಿಗೆ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.
ಸುಧಾರಿತ R&D	ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯ ಮೂಲಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಪಾಂಜ್ ತಯಾರಿಸುವ ಉಪಕರಣ.	ZL202210703163.0	ಪ್ರೊ. ಶಾವೊಲಾಂಗ್ ಹೆ	ಸರಂಧ್ರ ಅರೆವಾಹಕ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲು ಸ್ವಾಮ್ಯದ ಉಪಕರಣಗಳು.

TaC/Ta2C ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಲೇಪನ ಹೊಂದಿರುವ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಘಟಕ ಮತ್ತು ಅದರ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನ
ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ
ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಸಿಂಟರ್ಡ್ TaC ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ಉಪಕರಣ.
ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ
ಏಕ/ಪಾಲಿ-ಸ್ಫಟಿಕೀಯ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮೇಲೆ SiC ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು CVD ವಿಧಾನ.
ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ / ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಸಂಯುಕ್ತ ವಸ್ತು ಮತ್ತು ಅದರ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನ
ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ
ಲೋಹದ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ಮೇಲೆ SiC ಲೇಪನವನ್ನು ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನ.
ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ
ಲೋಹದ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ಮೇಲೆ ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ SiC ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ಉಪಕರಣ.
ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ
ಕಾರ್ಬನ್-ಕಾರ್ಬನ್ (C/C) ಸಂಯುಕ್ತಗಳಿಗೆ SiC ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನ
ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ
ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯ ಮೂಲಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಪಾಂಜ್ ತಯಾರಿಸುವ ಉಪಕರಣ.
ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಎಲ್ಲಾ ವರ್ಗಗಳು

ಬೌದ್ಧಿಕ ಆಸ್ತಿ ಮತ್ತು ಪೇಟೆಂಟ್‌ಗಳು

TaC/Ta2C ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಲೇಪನ ಹೊಂದಿರುವ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಘಟಕ ಮತ್ತು ಅದರ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನ

ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಸಿಂಟರ್ಡ್ TaC ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ಉಪಕರಣ.

ಏಕ/ಪಾಲಿ-ಸ್ಫಟಿಕೀಯ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮೇಲೆ SiC ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು CVD ವಿಧಾನ.

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ / ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಸಂಯುಕ್ತ ವಸ್ತು ಮತ್ತು ಅದರ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನ

ಲೋಹದ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ಮೇಲೆ SiC ಲೇಪನವನ್ನು ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನ.

ಲೋಹದ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ಮೇಲೆ ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ SiC ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ಉಪಕರಣ.

ಕಾರ್ಬನ್-ಕಾರ್ಬನ್ (C/C) ಸಂಯುಕ್ತಗಳಿಗೆ SiC ಲೇಪನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನ

ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯ ಮೂಲಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಪಾಂಜ್ ತಯಾರಿಸುವ ಉಪಕರಣ.

ಹಾಟ್ ವಿಭಾಗಗಳು